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            當前位置:首頁產品中心光電探測器MCT碲鎘汞探測器

            • MCT中紅外三級TE冷卻光浸式光電探測器

              2-12μm , MCT中紅外三級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列具有好的性能和穩定性,同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有好性能。切割波長可根據需要進行優化。反向偏置電壓可以顯著提高響應速度和動態范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。

              更新時間:2024-12-04
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            • 中紅外兩級TE冷卻光浸式光電探測器

              2-12μm MCT 中紅外兩級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-2TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的兩級熱電冷卻紅外光電探測器,具有好的性能和穩定性,同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有好性能。

              更新時間:2024-12-04
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            • 中紅外MCT三級熱電冷卻紅外光電探測器

              2-12μm 中紅外MCT三級熱電冷卻紅外光電探測器, 帶TEC ,PV-3TE系列是基于復雜的MCT異質結構的三級熱電冷卻紅外光電探測器,具有好的性能和穩定性。探測器在λopt時達到好性能。起始波長可根據需要進行優化。

              更新時間:2024-12-04
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            • 中紅外非制冷光電探測器

              2.5-6.5μm MCT碲鎘汞 中紅外非制冷光電探測器 PVI系列是基于復雜的MCT異質結構的非制冷紅外光電探測器,采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數,使其具有好的性能和穩定性。器件在λ_opt時達到好性能。

              更新時間:2024-12-04
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            • 3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器

              3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時達到好性能。波長分割可根據需求進行優化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態范圍的同時提高高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。

              更新時間:2024-12-04
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