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硅(Si) 硅基光電探測器，帶放大，固定增益 400-1100nm (DC-5MHz)
產品簡介
product
產品分類| 品牌 | 其他品牌 | 價格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組成要素 | 半導體激光器產品及設備 | 產地類別 | 進口 |
| 應用領域 | 化工,建材,電子 |
硅(Si) 硅基光電探測器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測器，用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應面輸入，輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產品能測量800nm到1700nm波長范圍的光信號。具體性能參數數據參考附錄表格。LD-PD光電探測器外殼帶有英制1/4"-20螺紋的安裝孔，可以方便的安裝固定。 外殼部分還附帶兩種不同尺寸的螺紋接圈，這兩種螺紋接圈分別適合于工業應用和科研應用，可以方便適配外部光學部件，如濾光片，衰減片，鏡頭，FC光纖轉接盤等。該產品包含一個塑料防塵蓋。具體安裝請參考閱讀第三章節。 每個光電探測器都配有一個輸出±9V的直流線性電源，該直流電源的輸入額定電壓為220VAC/50HZ。
硅(Si) 硅基光電探測器，帶放大，固定增益 400-1100nm (DC-5MHz),硅(Si) 硅基光電探測器，帶放大，固定增益 400-1100nm (DC-5MHz)
產品特點：
低噪聲，小于±lmV
過沖小，過沖電壓小于2.5%
增益穩定：增益誤差小于1%
暗偏置電壓輸出噪聲：小于ImV (rms)
應用領域：
•顯示面板檢測
•LED照明頻閃分析
•玩具燈閃爍頻率及功率測量
•氣體分析
參數
| PN# | PDAM005B-Si | PDAM36A5B6G-SI | PDAM20A6B4G-InGaAs |
| 電器特性 | |||
| 輸入電壓 | ±9VDC, 60mA | ±9VDG 100mA | ±9VDC. 100mA |
| 探頭 | Silicon PIN | Silicon PIN | InGaAs PIN |
| 感光面 | 2.65mm * 2.65mm | 3.6mm * 3.6mm | Diameters@2 mm |
| 波長 | 400 nm - 1100 nm | 320 nm - 1100 nm | 800 nm - 1700 nm (Optional Extended (可選擴展) 2600nm) |
| 峰值響應 | 0.62A/W @850nm | 0.6 A/W @960nm | 0.9 A/W@1550nm |
| 43.6mV/uW @850nm | 1 mV/nW @960nm | 9mV/uW@1550nm | |
| 飽和光功率 | 113pW@ 850nm (Hi-Z) | 6uW @960nm (Hi-Z) | 660 uW@1550nm (Hi-Z) |
| 帶寬 | DC •-5MHz | DC - 200kHz | DC - 5MHz |
| NEP | 7.2 pW/4HZ1/2 | 2.2 pW/HZ1/2 | 64.5 pW/HZ1/2 |
| 輸出噪聲（RMS） | 700 uV | 1 mV ?typ | 1.3 mV .typ |
| 暗電流偏置（MAX） | ±5 mV | ±1 mV | ±5 mV |
| 上升沿/下降沿（10%—90%） | 65 ns | 1.7 us | 68ns |
| 輸出電壓 | |||
| Hi-Z | 0- SV (Hi-Z) | 0-6V (Hi-Z) | 0-6V (Hi-Z) |
| 500 | 0 • 2.5V (50ohm) | 0 • 25V (50ohm) | 0 • 25V (50ohm) |
| 增益倍數 | |||
| Hi-Z | 67.5 kV/A | 1.68 MV/A | 10 kV/A |
| 500 | 33.8 kV/A | 0.84 MV/A | 5kV/A |
| 增益精度（typ） | ±1% | ±1% | ±1% |
| 其他參數 | |||
| 撥動開關 | 撥動開關 | 撥動開關 | |
| 輸出接口 | BNC | BNC | BNC |
| 尺寸 | 53*50*50mm | 53*50*50mm | 53*50*50mm |
| 重量 | 150g | 150g | 150g |
| 操作溫度 | 10-50deg | 10-50deg | 10-50deg |
| 存儲溫度 | ?25°C - 70°C | -25°C - 70°C | -25°C - 70°C |
| 硅基光電探測器，帶放大，固定增益,型號參考 | ||||||||||
| 目錄 | 波長 | 帶寬 | 上升時間 | 增益 | RMS噪聲 | NEP | 感應面積 | 工作溫度 | 電源 | |
| Hi-Z 負載 | 50Ω 負載 | |||||||||
| PDA12A8B4G-VIS | 400 - 1100 nm | DC - 140MHz | 2.5 nS | 1*104 V/A | 5*103 kV/A | 850µV .typ | 2*10-11 W/√HZ | 1.2mm*1.2 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA12A7B4G-VIS | 400 - 1100 nm | DC - 50MHz | 7 nS | 5*104 V/A | 2.5*104 kV/A | 800µV .typ | 6.3*10-12 W/√HZ | 1.2mm*1.2 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA25A6B4G-VIS | 400 - 1100 nm | DC - 5MHz | 68 nS | 1*105 V/A | 5*104 V/A | 700µV .typ | 5.3*10-12 W/√HZ | 2.5mm*2.5 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA36A5B6G-VIS | 320 - 1100 nm | DC - 200KHZ | 1.7 µS | 1.68*106 V/A | 8.4*105 V/A | 1mV .typ | 2.2*10-12 W/√HZ | 3.6mm*3.6mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA25A4B8G-VIS | 400 - 1100 nm | DC - 20KHZ | 18 µS | 1*108 V/A | — | 1.5mV .typ | 1.8*10-13 W/√HZ | 2.5mm*2.5 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
光譜靈敏度
交流傳輸特性
外觀及安裝使用
測試案列：
測試光源：
PN：PL-DFB-9672.4-B-A81-PA
SN：DO3431e-q2-Bo2-A19
測試條件：25℃、激光器電流掃描15-23mA，探測器輸出如下圖。
此款探測器在972nm時，探測精度高，微弱光（幾十微瓦）也可以探測到。
尺寸圖
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