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            當前位置:首頁產品中心光電探測器MCT碲鎘汞探測器2-12um 中紅外MCT 四級熱電冷卻紅外光電探測器 PV-4TE系列

            2-12um 中紅外MCT 四級熱電冷卻紅外光電探測器 PV-4TE系列

            產品簡介

            2-12um 中紅外MCT 四級熱電冷卻紅外光電探測器 PV-4TE系列

            PV-4TE系列是基于復雜的MCT異質結構的四級熱電冷卻紅外光電探測器,具有優秀的性能和穩定性。探測器在λopt時達到它本身能達到的的最佳性能。起始波長可根據需要進行優化。反向偏壓可以顯著提高響應速度和動態范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3&#176;楔狀藍寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射

            產品型號:
            更新時間:2024-12-05
            廠商性質:經銷商
            訪問量:948
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            品牌其他品牌產地類別進口
            應用領域化工,能源,建材,電子

            2-12um 中紅外MCT 四級熱電冷卻紅外光電探測器 PV-4TE系列

            PV-4TE系列是基于復雜的MCT異質結構的四級熱電冷卻紅外光電探測器,具有優秀的性能和穩定性。探測器在λopt時達到它本身能達到的的最佳性能。起始波長可根據需要進行優化。反向偏壓可以顯著提高響應速度和動態范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

            光譜響應
            2.0-12um
            技術參數

            產品特點

            ● 可探測中紅外波段范圍2-12μm

            ● 帶有三級TE冷卻,顯著提高探測器性能

            ● 可配專用前置放大器

            ● 帶有抗反射涂層窗口鏡

            產品應用

            ● 醫學熱成像

            ● 紅外光譜分析

            ● 中紅外氣體吸收檢測

            ● 中紅外激光探測



            參數

            探測器型號

            PV-4TE-3

            PV-4TE-3.4

            PV-4TE-4

            PV-4TE-5

            PV-4TE-6

            PV-4TE-8

            PV-4TE-10.6

            有源元件材料

            外延MCT異質結構


            最佳波長λopt,μm

            3.0

            3.4

            4.0

            5.0

            6.0

            8.0

            10.6

            探測靈敏度D*(λpeak),cm·Hz?/w

            3×1011

            ≥2×1011

            ≥1×1011

            ≥4×1010

            ≥9×109

            ≥5×108

            ≥4×108

            探測靈敏度D*(λopt),cm·Hz?/W

            ≥1.5×1011

            ≥1×1011

            ≥6×1010

            ≥1.5×1010

            ≥5×109

            ≥4×108

            ≥2×108

            電流響應度Ri(λopt),A/W

            ≥0.5

            ≥0.8

            ≥1.0

            ≥1.3

            ≥1.5

            ≥1.0

            ≥0.5

            時間常數T,ns

            280

            200

            ≤100

            ≤80

            ≤50

            ≤45

            ≤25

            電阻-感光元件面積乘積R·A,Ω·cm2

            ≥300

            ≥20

            ≥8

            ≥0.4

            ≥0.03

            ≥0.0006

            ≥0.0005

            有源元件溫度Tdet,K

            ~195

            感光面面積A,mm×mm

            0.05×0.05,0.1×0.1

            0.05×0.05

            封裝

            TO8,TO66

            接收角Φ

            70°

            窗口

            wAl2O3

            wZnSeAR


            TO8封裝外形及尺寸

            7.png

            4TE-TO8引腳定義

            功能

            PIN號

            探測器

            1,3

            熱敏電阻

            7,9

            TE冷卻器供應

            2(+),8(-)

            底板接地

            11

            未使用

            4,5,6,10,12


            4TE-TO66封裝外形及尺寸

            88.jpg

            4TE-TO66引腳定義

            功能

            引腳編號

            探測器

            7,8

            熱敏電阻

            5,6

            TE致冷供給

            1(+),9(-)

            未使用

            2,3,4


            探測器光譜響應特性曲線

            PV-4TE.png

            熱敏電阻特性曲線

            PV-2TE1.jpeg

            四級TE冷卻參數表

            參量

            數值

            Tdet , K

            ~195

            Vmax , V

            8.3

            Imax , A

            0.4

            Qmax , W

            0.28


            抗反射涂層窗口光譜透過率曲線

            PV-2TE2.jpeg


            2-12um 中紅外MCT 四級熱電冷卻紅外光電探測器 PV-4TE系列

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