熱門搜索：
P760/01_2760nm單模垂直腔面發射激光器
VCSEL-20-M激光控制驅動器
ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶體/棱鏡
HB-C0BFAS0832x4 QPSK C波段相干混頻器（信號解調/鎖相放大器等）
Frequad-W-CW DUV 單頻連續激光器 213nm 10mW Frequad-W
ER40-6/125截止波長1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC（連接器/光纖束/光纜）
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
WISTSense Point 緊湊型高精度光纖傳感器解調儀（信號解調/鎖相放大器等）
CO2激光光譜分析儀
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
FLEX-BF裸光纖研磨機
NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
高能激光光譜光束組合的光柵 （色散勻化片）
350-2000nm 1倍紅外觀察鏡
S+C+L波段 160nm可調諧帶通濾波器
MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器
產品簡介
product
產品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
PVI-4TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的四級熱電冷卻紅外光電探測器，具有好的性能和穩定性，同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有好性能。起始波長可根據需要進行優化。反向偏置電壓可以顯著提高響應速度和動態范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。
● 含有四級TE制冷以提高探測器性能
● 可探測中紅外波長范圍2-12μm
● 可配專用前置放大器
● 1mm×1mm大尺寸光敏面
● 帶有抗反射涂層窗口鏡
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實現光學浸沒，有效提升探測效率
TO8型封裝外形尺寸圖
參量 | 數值 | |
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 | |
光學區域面積AO；mm×mm | 0.5×0.5 | 1×1 |
R,mm | 0.5 | 0.8 |
A,mm | 7.3±0.4 | 6.4±0.4 |
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—4TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離
2TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號 |
探測器 | 1,3 |
反向偏壓（可選） | 1（-）,3（+） |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應 | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4，5，6，10，12 |
4TE-TO66封裝尺寸圖
參量 | 數值 | |
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 | |
光學區域面積AO；mm×mm | 0.5×0.5 | 1×1 |
R,mm | 0.5 | 0.8 |
A,mm | 8.35±0.4 | 7.45±0.4 |
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—4TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離
TO66引腳定義
功能 | PIN號 |
探測器 | 7，8 |
反向偏壓（可選） | 7（-）,8（+） |
熱敏電阻 | 5,6 |
TE冷卻器供應 | 1（+），9（-） |
未使用 | 2，3，4 |
● 醫學熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外氣體吸收檢測
● 中紅外激光探測
參數 | 探測器型號 | ||||||
PVI-4TE-3 | PVI-4TE-3.4 | PVI-4TE-4 | PVI-4TE-5 | PVI-4TE-6 | PVI-4TE-8 | PVI-4TE-10.6 | |
有源元件材料 | 外延MCT異質結構 | ||||||
最佳波長λopt，μm | 3 | 3.4 | 4 | 5 | 6 | 8 | 10.6 |
探測靈敏度D*(λpeak），cm·Hz?/w | ≥1×1012 | ≥8×1011 | ≥6×1011 | ≥3×1011 | ≥8×1010 | ≥5×109 | ≥4×109 |
探測靈敏度D*(λopt），cm·Hz?/W | ≥8×1011 | ≥7×1011 | ≥4×1011 | ≥1×1011 | ≥6×1010 | ≥4×109 | ≥2×109 |
電流響應度Ri(λopt)，A/W | ≥0.5 | ≥0.8 | ≥1.0 | ≥1.3 | ≥1.5 | ≥0.5 | |
時間常數T，ns | ≤280 | ≤200 | ≤100 | ≤80 | ≤50 | ≤45 | ≤25 |
電阻-感光元件面積乘積R·AO,Ω·cm2 | ≥30000 | ≥2000 | ≥800 | ≥40 | ≥3 | ≥0.06 | ≥0.05 |
有源元件溫度Tdet,K | ~195 | ||||||
感光面面積AO，mm×mm | 0.5×0.5,1×1 | ||||||
封裝 | TO8,TO66 | ||||||
接收角Φ | ～36° | ||||||
窗口 | wAl2O3 | wZnSeAR | |||||
探測器光譜響應特性曲線
熱敏電阻特性曲線
四級TE冷卻參數表
參量 | 數值 |
Tdet , K | ~195 |
Vmax , V | 8.3 |
Imax , A | 0.4 |
Qmax , W | 0.28 |
抗反射涂層窗口光譜透過率曲線
當前位置：
上一個：
返回列表
