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            當前位置:首頁產品中心光電探測器MCT碲鎘汞探測器MCT四級TE冷卻光電導探測器

            MCT四級TE冷卻光電導探測器

            產品簡介

            1-16μm 中紅外光浸沒式MCT四級TE冷卻光電導探測器 PCI-4TE系列截止波長受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設備應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時探測器性能降低。

            產品型號:
            更新時間:2024-12-04
            廠商性質:經銷商
            訪問量:1063
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            品牌其他品牌產地類別進口
            應用領域化工,能源,建材,電子

            PCI-4TE系列是基于復雜的MCT異質結構的四級熱電冷卻紅外光電導探測器,采用光學浸沒以提高探測器的性能,使其具有好的性能和穩定性。探測器在λ_opt時性能好。截止波長受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設備應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時探測器性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應。

            產品特點

            可探測中紅外光波段范圍1-16μm

            帶有四級TE冷卻以提高探測器響應度

            帶有超半球微型砷化鎵透鏡,實現光學浸沒

            特殊抗反射涂層,防止不必要干擾

            可配專用的前置放大器

            封裝及尺寸

            TO8型封裝外形尺寸圖

            55.jpg

            參量

            數值

            浸沒微型透鏡形狀

            超半球形

            光學區域面積Ao;mm×mm

            0.5×0.5

            1×1

            2×2

            R,mm

            0.5

            0.8

            1.25

            A,mm

            7.3±0.4

            6.4±0.4

            5.0±0.4

            備注:

            ?—接收角度;

            R—超半球微型透鏡半徑

            A—4TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


            4TE-TO8引腳定義

            功能

            PIN號

            探測器

            1,3

            熱敏電阻

            7,9

            TE冷卻器供應

            2(+),8(-)

            底板接地

            11

            未使用

            4,5,6,10,12


            4TE-TO66封裝尺寸圖

            44.jpg

            參量

            數值

            浸沒微型透鏡形狀

            超半球形

            光學區域面積Ao;mm×mm

            0.5×0.5

            1×1

            2×2

            R,mm

            0.5

            0.8

            1.25

            A,mm

            8.35±0.4

            7.45±0.4

            6.1±0.4

            備注:

            ?—接收角度;

            R—超半球微型透鏡半徑

            A—4TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離


            4TE-TO66引腳定義

            功能

            引腳編號

            探測器

            7,8

            熱敏電阻

            5,6

            TE致冷供給

            1(+),9(-)

            未使用

            2,3,4

            產品應用

            熱成像

            FTIR光譜學

            激光外差探測

            中紅外氣體分析

            技術參數

            參數

            探測器型號

            PCI-4TE-9

            PCI-4TE-10.6

            PCI-4TE-12

            PCI-4TE-13

            PCI-4TE-14

            有源元件材料

            外延MCT異質結構


            峰值波長(μm)

            9.0

            10.6

            12.0

            13.0

            14.0

            相對響應強度D*   (λpeak,20kHz),cm·Hz1/2/W

            ≥1.25×1010

            ≥4.0×109

            ≥3.0×109

            ≥2.0×109

            ≥5.0×108

            相對響應強度D* (λopt,20kHz),cm·Hz1/2/W

            ≥1.0×1010

            ≥3.0×109

            ≥2.0×109

            ≥1.0×109

            ≥3.0×108

            電流響應度-活性面積長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

            ≥0.9

            ≥0.2

            ≥0.09

            ≥0.05

            ≥0.03

            時間常數T,ns

            ≤80

            ≤30

            ≤7

            ≤6

            ≤5

            1/f噪聲角頻率fc,Hz

            ≤10k

            ≤20k


            偏置電壓-光學區域長度比Vb/LO,V/mm

            ≤0.3

            ≤0.24

            ≤0.18

            電阻R,Ω

            ≤500

            ≤400

            ≤300

            工作溫度Tdet,K

            ~195


            感光面尺寸Ao,mm×mm

            0.5×0.5,1×1,2×2


            封裝

            TO8,TO66


            接收角?

            ~36°


            窗口

            wZnSeAR



            20℃探測器的光譜響應曲線

            3.png

            兩級TE冷卻參數表

            參量

            數值

            Tdet,K

            ~195

            Vmax,V

            8.3

            Imax,A

            0.4

            Qmax,W

            0.28


            熱敏電阻特性曲線

            2te1.png

            窗口鏡抗反射涂層透過率曲線


            4.png

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