熱門搜索：
P760/01_2760nm單模垂直腔面發射激光器
VCSEL-20-M激光控制驅動器
ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶體/棱鏡
CO2激光光譜分析儀
中紅外QCL激光器QCL8600FP高功耗臺式FP-QCL
Frequad-W-CW DUV 單頻連續激光器 213nm 10mW Frequad-W
THL-ZnTe20-500RZNTE（碲化鋅）太赫茲晶體
ER40-6/125截止波長1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
IRV2000-1X1倍紅外觀察鏡 350-2000nm,分辨率 60lp/mm
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭
NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
高能激光光譜光束組合的光柵 （色散勻化片）
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
FLEX-BF裸光纖研磨機
VCSEL-795-0.13795 nm , VCSEL單模垂直腔面發射激光器
product
產品分類
2.5-6.5um MCT碲鎘汞 中紅外非制冷光電探測器 PVI系列 PVI系列是基于復雜的MCT異質結構的非制冷紅外光電探測器，采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數，使其具有優秀的性能和穩定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的最佳性能。起始波長可根據需求進行優化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性
更新時間：2024-12-05
產品型號：
瀏覽量：910
3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe PV系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的非制冷紅外光電探測器，具有優秀的性能和穩定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的佳性能。波長分割可根據需求進行優化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。
更新時間：2024-12-05產品型號：瀏覽量：891
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC,SMF28e
更新時間：2024-12-04產品型號：ET-3500F瀏覽量：2247
美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ＧＨｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接,FC/UPC
更新時間：2024-12-04產品型號：ET-5000F瀏覽量：2116
美國EOT - 硅光電探測器 118 MHz：材料：Silicon 上升／下降時間：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ； 響應度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１１８ＭＨｚ； 有效面積直徑：２．５５ｍｍ； 輸出連接：BNC
更新時間：2024-12-04產品型號：ET-2070瀏覽量：1157
當前位置：
