850nm單模VCSEL激光器TO46（不帶TEC）2mW Philips借經過優化的光學特性，850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制，同時具有線性偏振穩定性。

垂直腔面發射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），VCSEL垂直腔面發射激光器 (半導體激光器 1.0mW)簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型，N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成，VCSEL

QCL 是一種半導體激光器，其發射波長在中紅外范圍（4 um 至 10 um）。由于其發射原理與普通 LD *不同，QCL 作為中紅外應用（如環境監測中的痕量氣體分析）的創新解決方案而備受關注。 DFB-CW QCL 連續量子級聯激光器 5.26um

1600nm 古河DFB激光二極管 FRL15DDBx系列DFB激光模塊設計適用于2.5Gbit/s直接調制的DWDM應用。該模塊安裝在一個行業標準密封的14針蝶型封裝中，其中包括光學隔離器，熱電冷卻器，功率監視器光電二極管。根據ITU-T網格，50 GHz間隔波長分配，實現精確的波長選擇

1520nm古河DFB激光二極管 FRL15DDBx系列DFB激光模塊設計適用于2.5Gbit/s直接調制的DWDM應用。該模塊安裝在一個行業標準密封的14針蝶型封裝中，其中包括光學隔離器，熱電冷卻器，功率監視器光電二極管。根據ITU-T網格，50 GHz間隔波長分配，實現精確的波長選擇